SiC Nanowires નું વિક્ષેપ અને ઉમેરણ રકમ (ફક્ત સંદર્ભ માટે)
ભલામણ કરેલ વિક્ષેપ માધ્યમો: ડીયોનાઇઝ્ડ પાણી, નિસ્યંદિત પાણી, નિર્જળ ઇથેનોલ, ઇથિલિન ગ્લાયકોલ
ભલામણ કરેલ ડિસ્પર્સન્ટ:પોલીથીલીન ઈમાઈન (PEI), નોનિયોનિક પોલીએક્રી લેમાઈડ (PAM), સોડિયમ પાયરોફોસ્ફેટ (SPP), ટ્વેઈન 80, સિલિકોન કમ્પાઉન્ડ કપ્લીંગ એજન્ટ, પોલીઈથીલીન ગ્લાયકોલ, સોડિયમ હેક્સામેટાફોસ્ફેટ, સોડિયમ કાર્બોક્સિમિથાઈલ (MCMC), સેલ્યુલોઝ વગેરે.
સામાન્ય સિરામિક મેટ્રિક્સ કમ્પોઝીટ્સમાં, સામાન્ય રીતે 10wt% કરતા ઓછા સિલિકોન કાર્બાઇડ નેનોવાયર ઉમેરવામાં આવે છે. ચોક્કસ ઑપ્ટિમાઇઝેશનની પ્રક્રિયામાં, તેને 1wt% થી શરૂ કરીને ધીમે ધીમે પ્રયોગ અને ઑપ્ટિમાઇઝ કરવાની ભલામણ કરવામાં આવે છે.પ્રાયોગિક પ્રથા અનુસાર, ઉમેરવાની રકમ જેટલી વધારે છે તેટલી સારી હોય તે જરૂરી નથી, તે કાચા માલ, સામગ્રીનું કદ, સિન્ટરિંગ તાપમાન સાથે સંબંધિત છે, વાજબી રકમ ઉમેરવાથી શ્રેષ્ઠ કડક અસર મળી શકે છે.

વિખરાયેલા SiC નેનોવાયર સ્લરી અને સિરામિક પાવડરને મિશ્રિત કર્યા પછી, 1-12 કલાક સુધી વિખેરવાનું ચાલુ રાખો.મણકો મિલ વિખેરવું અથવા યાંત્રિક stirring પદ્ધતિ આગ્રહણીય છે.નેનોવાયર્સને તોડવા માટે બોલ મિલિંગ પદ્ધતિ સરળ છે.

જો SiC નેનોવાયર અને મેટ્રિક્સ સામગ્રીઓનું મિશ્રણ એટલું સારું ન હોય તો, મિશ્રણની એકરૂપતાને સુધારવા માટે 1% માસના SiCNW (અથવા થોડી માત્રામાં આઇસોપ્રોપેનોલ/ઇથેનોલ) સોડિયમ હેક્સામેટાફોસ્ફેટને વિખેરી નાખનાર તરીકે ઉમેરી શકાય છે.

વિખેરી નાખ્યા પછી, શુષ્ક અને નિર્જલીકરણ તરત જ હાથ ધરવામાં આવવું જોઈએ.સ્લરીને મોટા વિસ્તારવાળા વાસણમાં પાતળી ફેલાવવા માટે રેડો, અને તે વિસ્તારને વધારશે જે સરળતાથી બાષ્પીભવન કરશે અને ડીહાઇડ્રેટ થશે. નેનોવાયર અને મેટ્રિક્સ વચ્ચેના કાચા માલના ડિલેમિનેશનને ટાળવું વધુ મહત્વનું છે.ભલામણ કરેલ સૂકવણી તાપમાન 110-160 ℃ છે.