Lachin 0.1-2um, L/D> = 20, Length: 10-50um Silisyòm Carbide Whisker manifaktirè yo ak founisè |Hongwu

0.1-2um, L/D> = 20, Longè: 10-50um Silisyòm Carbide Whisker

Deskripsyon kout:

SiC moustach gen repitasyon "wa nan moustach" e li gen avantaj ki genyen nan gwo fòs ak gwo modil elastisite.Anplis de sa nan moustach carbure Silisyòm siyifikativman amelyore severite a ka zo kase ak fòs flexural nan konpoze.Kòm yon ajan ranfòsman ekselan ak ranfòsman, SiC moustach sere ki baze sou metal, ki baze sou seramik ak ki baze sou polymère materyèl konpoze yo te lajman itilize nan machin, chimik, defans, enèji, pwoteksyon anviwònman ak lòt jaden.

Voye imèl ba nou

Pwodwi detay

Silisyòm Carbide Whisker

Spesifikasyon:

Kòd	D500
Non	Silisyòm Carbide Whisker
Fòmil	β-SiC-w
Nimewo CAS	409-21-2
Dimansyon	0.1-2.5um an dyamèt, 10-50um nan longè
Pite	99%
Kalite kristal	Beta
Aparans	Vèt
Pake	100g, 500g, 1kg oswa jan sa nesesè
Aplikasyon potansyèl yo	Kòm yon ajan ranfòsman ekselan ak ranfòsman, SiC moustach sere ki baze sou metal, ki baze sou seramik ak ki baze sou polymère materyèl konpoze yo te lajman itilize nan machin, chimik, defans, enèji, pwoteksyon anviwònman ak lòt jaden.

Deskripsyon:

SiC moustach se yon fib kristal sèl trè oryante ak yon dyamèt ki sòti nan nanomèt ak mikromèt.
Estrikti kristal li yo sanble ak sa yo ki an dyaman.Gen kèk enpurte chimik nan kristal la, pa gen limit grenn jaden, ak kèk domaj estrikti kristal.Konpozisyon faz la se inifòm.

SiC moustach gen gwo pwen k ap fonn, dansite ki ba, gwo fòs, gwo modil elastisite, to ekspansyon tèmik ki ba, ak bon rezistans mete, rezistans korozyon, ak rezistans oksidasyon tanperati ki wo.

SiC moustach se sitou itilize nan aplikasyon pou sere kote tanperati ki wo ak aplikasyon pou fòs segondè yo mande yo.

Kondisyon Depo:

Silisyòm Carbide Whisker (β-SiC-w) yo ta dwe estoke nan sele, evite limyè, kote sèk.Depo tanperati chanm se OK.

SEM: