0.1-2მმ,ლ/დ>=20,სიგრძე:10-50მმ სილიკონის კარბიდის ულვაში
სილიკონის კარბიდის ულვაში
სპეციფიკაცია:
| კოდი | D500 |
| სახელი | სილიკონის კარბიდის ულვაში |
| ფორმულა | β-SiC-w |
| CAS No. | 409-21-2 |
| განზომილება | დიამეტრით 0,1-2,5 მმ, სიგრძეში 10-50 მმ |
| სიწმინდე | 99% |
| კრისტალური ტიპი | ბეტა |
| გარეგნობა | მწვანე |
| პაკეტი | 100გრ, 500გრ, 1კგ ან საჭიროებისამებრ |
| პოტენციური აპლიკაციები | როგორც შესანიშნავი გამაძლიერებელი და გამკაცრებელი აგენტი, SiC ულვაში გამაგრებული ლითონზე დაფუძნებული, კერამიკული და პოლიმერული კომპოზიტური მასალები ფართოდ გამოიყენება მანქანებში, ქიმიაში, თავდაცვის, ენერგეტიკის, გარემოს დაცვისა და სხვა სფეროებში. |
აღწერა:
SiC whisker არის უაღრესად ორიენტირებული ერთკრისტალური ბოჭკო, რომლის დიამეტრი მერყეობს ნანომეტრიდან მიკრომეტრამდე.
მისი ბროლის სტრუქტურა ალმასის მსგავსია.კრისტალში არის რამდენიმე ქიმიური მინარევები, არ არის მარცვლის საზღვრები და კრისტალური სტრუქტურის დეფექტები.ფაზის შემადგენლობა ერთგვაროვანია.
SiC ულვაშს აქვს მაღალი დნობის წერტილი, დაბალი სიმკვრივე, მაღალი სიმტკიცე, ელასტიურობის მაღალი მოდული, დაბალი თერმული გაფართოების სიჩქარე და კარგი აცვიათ წინააღმდეგობა, კოროზიის წინააღმდეგობა და მაღალი ტემპერატურის ჟანგვის წინააღმდეგობა.
SiC ულვაში ძირითადად გამოიყენება გამკაცრებაში, სადაც საჭიროა მაღალი ტემპერატურისა და მაღალი სიმტკიცის გამოყენება.
შენახვის მდგომარეობა:
სილიკონის კარბიდის ულვაში (β-SiC-w) უნდა ინახებოდეს დალუქულ, მსუბუქ, მშრალ ადგილას.ოთახის ტემპერატურაზე შენახვა წესრიგშია.
SEM:
