Duerchmiesser 100-200nm Silicon Nanowires fir Lithium Ion Batterie
Duerchmiesser 100-200nm Silicon Nanowires Fir Lithium Ion Batterie
Spezifizéierung:
| Numm | Silicon Nanowires |
| Dimensioun | 100-200nm Duerchmiesser,>10um laang |
| Rengheet | 99% |
| Ausgesinn | Giel Gréng |
| Package | 1g oder wéi néideg |
| Potential Uwendungen | Silicon Nanowires gi wäit studéiert fir Uwendungen a Lithium-Ion Batterien, Thermoelektrik, Photovoltaik, Nanowire Batterien an net flüchteg Erënnerung. |
Beschreiwung:
Als typesche Vertrieder vun eendimensionalen Nanomaterialien hunn Silizium Nanowires net nëmmen déi speziell Eegeschafte vun Hallefleit, awer weisen och verschidde physesch Eegeschafte wéi Feldemissioun, thermesch Konduktivitéit a siichtbar Photolumineszenz, déi anescht sinn wéi Bulk Siliziummaterialien.Si ginn an Nanoelektronesch Geräter an Optoelektronik benotzt.Apparater an nei Energiequellen hunn en enorme potenziellen Uwendungswäert.Méi wichteg, Silizium Nanowires hunn exzellent Kompatibilitéit mat existente Siliziumtechnologien an hunn domat e grousst Maartapplikatiounspotenzial.Dofir sinn Silizium Nanowires en neit Material mat groussem Uwendungspotenzial am Beräich vun eendimensionalen Nanomaterialien.
Silicon Nanowires hu vill Virdeeler wéi Ëmweltfrëndlechkeet, Biokompatibilitéit, einfach Uewerflächemodifikatioun, a Kompatibilitéit mat der Hallefleitindustrie.
Silicon Nanowires si wichteg Materialien fir Hallefleit Biosensoren.Als eng wichteg Klass vun eendimensionalen Halbleiter Nanomaterialien hunn Silizium Nanowires hir eege eenzegaarteg optesch Eegeschafte wéi Fluoreszenz an Ultraviolet, elektresch Eegeschafte wéi Feldemissioun, Elektronentransport, thermesch Leitung, héich Uewerflächenaktivitéit, a Quanteschutzeffekter.Nano-Geräter wéi High-Performance Feldeffekttransistoren, Single-Elektrondetektoren a Feldemissiounsdisplaygeräter hunn gutt Uwendungsperspektiven.
Silicon Nanowires goufen och vill studéiert fir Uwendungen a Lithium-Ion Batterien, Thermoelektrik, Photovoltaik, Nanowire Batterien, an net-flüchteg Erënnerung.
Stockage Zoustand:
Silicon Nanowires sollen an zouene gespäichert ginn, vermeiden liicht, dréchen Plaz.Raumtemperatur Lagerung ass OK.
SEM:
