China Factory Fourniture HW-D500C SiCNWs Silicon Carbide Nanowires Produzenten a Fournisseuren |Hongwu

Factory Fourniture HW-D500C SiCNWs Silicon Carbide Nanowires

Kuerz Beschreiwung:

An gewéinlech Keramik Matrixentgasung Composite, HW-D500C SiCNWs Silicon Carbide Nanowires manner wéi 10wt% allgemeng dobäi.Am Prozess vun spezifesch Optimisatioun, ass et recommandéiert vun 1wt% ufänken a graduell Experimenter an optimiséieren.

Schéckt E-Mail un eis

Produit Detailer

Factory Fourniture HW-D500C SiCNWs Silicon Carbide Nanowires

Spezifizéierung:

Code	D 500 C
Numm	Siliziumkarbid Nanodraht
Formel	SICNWs
CAS Nr.	409-21-2
Duerchmiesser & Längt	D <500nm L 50-100um
Rengheet	99%
Crystal Typ	Kubikzentimeter
Ausgesinn	gro gréng
Package	10g, 50g, 100g, 200g oder wéi néideg
Potential Uwendungen	Verstäerkt a verstäerkt Kompositmaterialien, Metallmatrix a Keramik Matrixkomposite verstäerkt a verstäerkt duerch Siliziumkarbid Nanowires goufen wäit an Maschinnen, chemescher Industrie, nationaler Verteidegung, Energie, Ëmweltschutz an aner Felder benotzt.

Beschreiwung:

Déi physikalesch Eegeschafte vu Siliziumkarbid Nanodraad:

Kubikkristall, dat ass eng Aart Kristall ähnlech wéi Diamant.Et ass en eendimensionalen Eenkristall mat héijer Kraaft a Baartform.Et huet vill exzellent mechanesch Eegeschafte wéi héich Kraaft an héije Modulus, wat ee vun de beschten Verstäerkungs- a Verhärtungsmaterialien ass.

Chemesch Eegeschafte vu Siliziumkarbid Nanowires:

Verschleißbeständegkeet, Héichtemperaturbeständegkeet, speziell Schockbeständegkeet, Korrosiounsbeständegkeet, Stralungsbeständegkeet.

Haaptapplikatiounsrichtungen vu Siliziumkarbid Nanowires:

1.SIC Nanowires / Keramik Matrix Komposit: SIC / TIC / WC / ALN / SI3N4 / TIN / AL2O3 / ZRO2 / ZRB2 etc

2.SIC Nanowires / Metallmatrixkomposite: AL / TI / NI etc

3.SIC Nanowires / Polymer baséiert Kompositen: Nylon / Harz / Gummi / Plastik etc

Dispersioun an Additiv Betrag vu SiC Nanowires:

Dispersioun an Additiv Betrag vu SiC Nanowires (nëmme fir Referenz)
Recommandéiert Dispersiounsmedien: deioniséiertem Waasser, destilléiert Waasser, Waasserfräi Ethanol, Ethylenglycol
Recommandéiert Dispergéierungsmëttel: Polyethylenimine (PEI), nonionesche Polyacrylamid (PAM), Natriumpyrophosphat (SPP), Twain 80, Siliziumverbindungskupplungsmëttel, Polyethylenglycol, Natriumhexametaphosphat, Natriumcarboxymethylcellulose (CMC), asw.
An gewéinleche Keramik-Matrix-Kompositen, Siliziumkarbid-Nanowires manner wéi 10wt% ginn allgemeng bäigefüügt. Am Prozess vun der spezifescher Optimiséierung ass et recommandéiert vun 1wt% ze starten a graduell ze experimentéieren an ze optimiséieren.No der experimenteller Praxis, wat méi héich ass d'Zousätzbetrag net onbedéngt besser, et ass mat der Matière première, der Materialgréisst, der Sintertemperatur, eng raisonnabel Zousatzbetrag kann dee beschten Toughening Effekt kréien.

Nom Vermëschung vun der verspreeter SiC Nanowire Schlamm a Keramikpulver, fuert weider fir 1-12 Stonnen ze verdeelen.Bead Mill Dispersioun oder mechanesch Rührmethod ass recommandéiert.D'Kugelfräsmethod ass einfach fir d'Nanowires ze briechen.

Wann d'Mëschung vu SiC Nanowires a Matrixmaterial net sou gutt ass, kann Natriumhexametaphosphat vun 1% Mass vu SiCNW (oder eng kleng Quantitéit Isopropanol / Ethanol) als Dispergéierungsmëttel derbäigesat ginn fir d'Mëschunguniformitéit ze verbesseren.

No der Dispersioun sollt d'Trocknung an d'Dehydratioun direkt duerchgefouert ginn.Pour der slurry an engem Schëff mat enger grousser Fläch et dënn ze verbreeden, an der Géigend vergréissert wäert evaporate an dehydréiert einfach.Déi recommandéiert Trocknungstemperatur ass 110-160 ℃.

SEM: