China Tungsten သည် အောက်အဆင့် အကူးအပြောင်း အပူချိန် ထုတ်လုပ်သူများနှင့် ရောင်းချသူများအတွက် |Hongwu

အောက်အဆင့် ကူးပြောင်းမှု အပူချိန်အတွက် အဖြိုက်စတင်သည် နာနိုဗန်နေဒီယမ်အောက်ဆိုဒ်ကို ရောနှောထားသည်။

အတိုချုံးဖော်ပြချက်-

VO2 သည် ပြောင်းလဲမှု၏ ခံနိုင်ရည်နှင့် အနီအောက်ရောင်ခြည် ထုတ်လွှင့်မှုတို့နှင့်အတူ အဆင့်မျိုးကွဲသတ္တုအောက်ဆိုဒ်တစ်ခုဖြစ်ပြီး၊ ဤအင်္ဂါရပ်သည် vo2 ကို နယ်ပယ်များစွာတွင် ကောင်းမွန်သောအသုံးချပလီကေးရှင်းတစ်ခုဖြစ်လာစေသည်၊ သို့သော် ပြဿနာအချို့မှာ vo2 ၏အဆင့်အကူးအပြောင်းအပူချိန်သည် မြင့်မားနေသေးသောကြောင့်၊ Tungsten doped nano vanadium oxide သည် vo2 အဆင့်ပြောင်းလဲမှုအပူချိန်ကို လျှော့ချရန် အဓိကနည်းလမ်းတစ်ခုဖြစ်သည်။သင်ရွေးချယ်နိုင်သည်- 1. Nano VO2 doped 1% tungsten 2. Nano VO2 doped 1.5% tungsten 3. Nano VO2 doped 2% tungsten 4. Pure Nano VO2 အမှုန့်

ကျွန်ုပ်တို့ထံ အီးမေးလ်ပို့ပါ။

ထုတ်ကုန်အသေးစိတ်

အောက်အဆင့် ကူးပြောင်းမှု အပူချိန်အတွက် အဖြိုက်စတင်သည် နာနိုဗန်နေဒီယမ်အောက်ဆိုဒ်ကို ရောနှောထားသည်။

သတ်မှတ်ချက်-

ကုဒ်	WP501
နာမည်	Tungsten သည် Vanadium Dioxide Nanopowder များကို သုတ်လိမ်းသည်။
ဖော်မြူလာ	W-VO2
CAS နံပါတ်	၁၂၀၃၆-၂၁-၄
အမှုန်အရွယ်အစား	100-200nm
သန့်ရှင်းစင်ကြယ်ခြင်း။	99.9%
Crystal အမျိုးအစား	Monoclinic
အသွင်အပြင်	အနက်ရောင်
အထုပ်	100g,500g,1kg သို့မဟုတ် လိုအပ်သလို
အလားအလာရှိသော အသုံးချပရိုဂရမ်များ	၎င်းသည် နယ်ပယ်များတွင် ကျယ်ပြန့်သော applications များရှိသည်။မှိန်ဖျော့ဖျော့ရုပ်ရှင်၊ အပူချိန်ထိန်းပစ္စည်းများ၊ ဓာတ်ပုံလျှပ်စစ်ခလုတ်ပစ္စည်းများ၊ အနီအောက်ရောင်ခြည်ပုံရိပ်ဖော်ခြင်း အစိတ်အပိုင်းများ

ဖော်ပြချက်-

ဗန်နေဒီယမ်ဒိုင်အောက်ဆိုဒ်သည် သာမိုခရိုမစ်ပစ္စည်းဖြစ်သည်။သန့်စင်သော vanadium dioxide ၏ အသွင်ကူးပြောင်းမှု အပူချိန်မှာ 68 ℃ ဖြစ်ပြီး ကမ္ဘာတစ်ဝှမ်းမှ သုတေသီများက အတည်ပြုထားသည်။ထို့အပြင်၊ VO2 ၏ phase transformation temperature ကို doping nano tungsten ဖြင့် ပြောင်းလဲနိုင်သည်။ အမည်မှာ၊ အဆင့်အကူးအပြောင်းအပူချိန်ကို doping tungsten ဖြင့် အခန်းအပူချိန်သို့ လျှော့ချနိုင်သည်။
အဓိကလျှောက်လွှာ
အလိုအလျောက် အပူချိန် ချိန်ညှိမှုနှင့်အတူ အသိဉာဏ်ရှိသော ပြတင်းပေါက်၊
လေဆာအကာအကွယ်ရုပ်ရှင်;
အနီအောက်ရောင်ခြည် detector;
Optical data storage ပစ္စည်းများ စသည်တို့၊
Magnetron sputtering ဖြင့်၊ ပြင်းအားအစီအစဥ်နှစ်ခုအလိုက် ကွဲပြားသော ခံနိုင်ရည်ရှိသော VO2 ပါးလွှာသော ဖလင်များကို ဆီလီကွန် wafers များပေါ်တွင် ရရှိခဲ့သည်။ ရုပ်ရှင်များ၏ လျှပ်စစ်ဂုဏ်သတ္တိများကို စမ်းသပ်ခဲ့သည်။ရလဒ်များက tungsten doped vanadium dioxide ဖလင်၏ အဆင့်အကူးအပြောင်း အပူချိန်သည် သန့်စင်သော vanadium dioxide ဖလင်ထက် နိမ့်နေပြီး tungsten doped vanadium dioxide ဖလင်၏ အနီးနား အနီအောက်ရောင်ခြည် ထုတ်လွှင့်မှုကိုလည်း လျှော့ချကြောင်း ရလဒ်များက ဖော်ပြသည်။

သိုလှောင်မှုအခြေအနေ-

ဤထုတ်ကုန်ကို ပတ်ဝန်းကျင်၏ခြောက်သွေ့၊ အေးမြသောနေရာတွင် သိမ်းဆည်းထားသင့်သည်၊ လေနှင့်ထိတွေ့မှုမပြုနိုင်၊ မှောင်သောနေရာတွင်ထားပါ။ထို့အပြင် သာမန်ကုန်စည်သယ်ယူပို့ဆောင်ရေးအရ လေးလံသောဖိအားကို ရှောင်ရှားသင့်သည်။

SEM နှင့် XRD