El carbur de silici té una excel·lent estabilitat química i bones propietats d'absorció d'ones, i té una àmplia gamma de fonts de materials i un baix cost, i té grans perspectives d'aplicació en el camp de l'absorció d'ones.
SiC és un material semiconductor amb bona estabilitat a alta temperatura, resistència a la corrosió química, excel·lent resistència a l'oxidació i baix coeficient d'expansió tèrmica.És l'absorbent d'alta temperatura més estudiat a casa i a l'estranger.
La pols de carbur de beta ilicon (SiC) com a absorbent d'ona inclou principalment dues formes de pols i fibra.
Una gran superfície específica, que condueix a una polarització de la interfície millorada, juga un paper important en la millora dels paràmetres electromagnètics i la concordança d'impedància.

Els camps d'aplicació de les nano partícules de SiC:

1. Camp de material de recobriment: camp de material militar;camp d'equips de microones
2. L'àmbit de la roba de radioprotecció
3. Àmbit de l'enginyeria plàstica

Condicions d'emmagatzematge: