Ang ZnO usa ka N-type nga semiconductor nga materyal nga adunay dako nga band gap (3.37eV) ug taas nga exciton binding energy (60 meV), taas nga electron mobility ug thermal conductivity.Sa samang higayon, kini usab adunay katakus sa pag-andam Kini adunay mga bentaha sa mubu nga gasto, dili makahilo, gaan nga gibug-aton, ug pagkadunot.Ingon usa ka praktikal nga materyal, kini adunay daghang mga prospect sa aplikasyon.Kini adunay usa ka halapad nga mga aplikasyon sa natad sa gas sensitivity, luminescence, catalysis, ug uban pa Sa samang higayon, ang zinc oxide adunay dako nga dielectric nga kanunay sa electromagnetic field.Maayo kaayo nga pagkawala sa dielectric ug pasundayag sa semiconductor, kini usa ka maayo kaayo nga materyal nga mosuhop sa balud.
Ang pasundayag sa pagsuyup sa microwave kanunay adunay kalabotan sa komplikado nga pagkamatuhup sa materyal, komplikado nga pagtugot, ug pagpares sa impedance.Kini nga mga parameter mahimong ipasibo pinaagi sa komposisyon sa materyal, morpolohiya, gidak-on, ug uban pa.
Nakaplagan sa mga pagtuon nga ang pipila ka ZnO nga adunay espesyal nga morphology lagmit nga magpakita sa mas maayo nga pagsuyop sa mga kabtangan
Ang doping nga adunay transition metal ions sa ZnO, o pag-compound sa carbon-based nga absorbing materials makapaila sa maayo kaayong performance sa ubang absorbing materials.

Sa ibabaw mao ang mga teyoriya gikan sa mga tigdukiduki alang sa imong pakisayran lamang, ang detalyado nga aplikasyon magkinahanglan sa imong pagsulay, salamat.