50nm nano ITO Indium Tin Oxide in polvere gialla per un rivestimentu conduttivu o antistaticu

Descrizione breve:


Detail di u produttu

Nome di l'articulunanopolvere di ITO
Articulu NOV751-1
Dimensione di particella (D50)50 nm
Purezza (%)99,99%
In2O3: SnO29:1 ​​/ 95:5
L'aspettu è u culorepolvere gialla
Grade Standardqualità industriale
Morfologiasferica
Imballaggiosacchetti doppiu antistaticu, tamburi
spedizioneDHL, Fedex, EMS.TNT, UPS, Linee Speciali, etc

Direzzione di l'applicazione

Nano oxidu d'indiu (In2O3) in polvere hè un novu tipu di materiale semiconductor trasparente di tip N-sensibile à u gasu.Cù una banda larga più larga, una resistività più chjuca è una attività catalitica più alta, hè stata largamente usata in u campu di l'optoelettronica, i sensori di gas è i catalizzatori.

Nano Indium Tin Oxide ITO hà eccellenti proprietà elettriche è ottiche, cumprese a conduttività, a trasparenza, l'insulazione termica, a prutezzione UV, etc.

U rapportu di In2O3 è SnO2 pò esse aghjustatu secondu diverse applicazioni per ottene nanopowders ITO cù diverse caratteristiche.

Hè principarmenti utilizatu in i campi di film assorbenti infrarossi, rivestimenti di barriera termica, strati conduttivi è rivestimenti antistatici.

Cundizioni di almacenamiento

Stu pruduttu deve esse guardatu in seccu, frescu è sigillatu di l'ambiente, ùn pò micca esse esposizione à l'aria, in più deve evità a pressione pesante, secondu u trasportu di merchenzie ordinariu.

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