Silisiumkarbid hat poerbêste gemyske stabiliteit en goede wave absorption eigenskippen, en hat in breed oanbod fan materiaal boarnen en lege kosten, en hat grutte tapassing perspektyf op it mêd fan wave absorption.
SiC is in semiconductor materiaal mei goede hege temperatuer stabiliteit, gemyske corrosie ferset, poerbêst oksidaasjegetal ferset en lege termyske útwreiding koeffizient.It is de meast studearre hege temperatuer absorberend yn binnen- en bûtenlân.
Beta ilicon carbide (SiC) poeder as golfabsorber omfettet benammen twa foarmen fan poeder en glêstried.
Grut spesifyk oerflak, liedt ta ferbettere ynterfacepolarisaasje, spilet in wichtige rol by it ferbetterjen fan elektromagnetyske parameters en impedânsje-oerienkomst

De tapassingsfjilden fan nano SiC-dieltsjes:

1. Coating materiaal fjild: militêr materiaal fjild;magnetron apparatuer fjild
2. It fjild fan strieling beskerming klean
3. Engineering plastic fjild

Opslach betingst: