Tha seasmhachd ceimigeach sàr-mhath aig silicon carbide agus deagh fheartan gabhail a-steach tonn, agus tha raon farsaing de stòran stuthan agus cosgais ìosal aige, agus tha deagh chothroman tagraidh aige ann an raon sùghadh tonn.
Is e stuth semiconductor a th’ ann an SiC le deagh sheasmhachd teothachd àrd, strì an aghaidh creimeadh ceimigeach, sàrachadh an aghaidh oxidation agus co-èifeachd leudachaidh teirmeach ìosal.Is e seo an sùgh àrd teòthachd as motha a chaidh a sgrùdadh aig an taigh agus thall thairis.
Tha pùdar beta ilicon carbide (SiC) mar inneal-uisge sa mhòr-chuid a’ toirt a-steach dà sheòrsa de phùdar agus fiber.
Tha àite cudromach aig farsaingeachd uachdar sònraichte, a tha a’ leantainn gu polarachadh eadar-aghaidh leasaichte, ann a bhith a’ leasachadh paramadairean electromagnetic agus maidseadh bacaidh

Na raointean tagraidh de ghràinean nano SiC:

1. Raon stuth còmhdach: raon stuthan armachd;raon uidheamachd microwave
2. Raon aodach dìon rèididheachd
3. Plastaig innleadaireachd achadh

Suidheachadh stòraidh: