1% टंगस्टन डोप्ड वैनेडियम डाइऑक्साइड पाउडर W-VO2 कण

संक्षिप्त वर्णन:

1% टंगस्टन डोप्ड वैनेडियम डाइऑक्साइड पाउडर (W-VO2 कण) में शुद्ध VO2 पाउडर की तुलना में कम चरण-संक्रमण तापमान (लगभग 45 ℃) होता है जो 68 ℃ है।टंगस्टन के विभिन्न डोपिंग के साथ, चरण-संक्रमण तापमान लगभग 20 ℃ कमरे के तापमान के लिए समायोज्य हो सकता है।


वास्तु की बारीकी

1% टंगस्टन डोप्ड वैनेडियम डाइऑक्साइड पाउडर W-VO2 कण

टंगस्टन डाल दिया गया वैनेडियम डाइऑक्साइड पाउडर की विशिष्टता:

कण आकार: 5-6um

शुद्धता: 99%+

रंग: भूरा काला

टंगस्टन डोपिंग अनुपात: 1-2% से समायोज्य

चरण संक्रमण तापमान: लगभग 20-68 ℃ से समायोज्य

संबंधित सामग्री: शुद्ध VO2 नैनोपाउडर

W डोप्ड वैनेडियम डाइऑक्साइड (W-VO2) पाउडर का अनुप्रयोग:

नैनो वैनेडियम डाइऑक्साइड (VO2) को भविष्य के इलेक्ट्रॉनिक्स उद्योग के लिए एक क्रांतिकारी सामग्री के रूप में जाना जाता है।इसके प्रमुख गुणों में से एक यह है कि यह कमरे के तापमान पर एक इन्सुलेटर है, लेकिन तापमान 68 ℃ से अधिक होने पर इसकी परमाणु संरचना कमरे के तापमान क्रिस्टल संरचना से धातु में बदल जाएगी।धातु-इन्सुलेटर ट्रांजिशन (एमआईटी) के रूप में जाना जाने वाला यह अनूठा गुण, इसे नई पीढ़ी के कम-शक्ति वाले इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों के लिए सिलिकॉन को बदलने के लिए एक आदर्श उम्मीदवार बनाता है।

वर्तमान में, ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उपकरणों में VO2 सामग्री का अनुप्रयोग मुख्य रूप से पतली फिल्म अवस्था में है, और इसे विभिन्न क्षेत्रों जैसे इलेक्ट्रोक्रोमिक डिवाइस, ऑप्टिकल स्विच, माइक्रोबैटरी, ऊर्जा-बचत कोटिंग्स, स्मार्ट विंडो और माइक्रोबोलोमेट्रिक उपकरणों में सफलतापूर्वक लागू किया गया है।वैनेडियम डाइऑक्साइड के प्रवाहकीय गुण इसे ऑप्टिकल उपकरणों, इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों और ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उपकरणों में संभावित अनुप्रयोगों की एक विस्तृत श्रृंखला प्रदान करते हैं।

टंगस्टन डोपिंग क्यों?

चरण परिवर्तन को कम करने के लिएचरण-संक्रमण तापमान.

जमा करने की अवस्था:

W-VO2 पाउडर को सूखे, ठंडे वातावरण में सील करके रखना चाहिए, रोशनी से दूर रखना चाहिए।

W-VO2 का डीएससी(2% डब्ल्यू-वीओ2 का डीएससी)


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