Beta SiC Silisyòm Carbide Whisker pou ranfòsman ak severite materyèl
Silisyòm Carbide Whisker ultrafin poud (beta SiC-w)
Deskripsyon Product| Non pwodwi | Espesifikasyon |
Silisyòm Carbide Whisker ultrafine poud | Dyamèt: 0.1-2um Longè: 10-50um Pite: 99% Kontni moustach: ≥90% Tolerans tanperati:2960℃ Fòs rupture: 20.8GpaDite: 9.5Mobs |
Moustach carbure Silisyòm se yon kalite fib sèl-kristal ak yon rapò aspè sèten, ki gen yon trè bon rezistans tanperati ki wo ak gwo fòs.Li se sitou itilize nan aplikasyon pou sere kote tanperati ki wo ak aplikasyon pou fòs segondè yo mande yo.Tankou: materyèl ayewospasyal, zouti koupe gwo vitès.Kounye a, li gen yon rapò pèfòmans-pri trè wo.
Silisyòm Carbide Whisker ultrafine poudse mitilize sitou pou metal, ki baze sou seramik, ki baze sou résine materyèl konpoze,ranfòsman fòs ak severite, siyifikativman amelyore pèfòmans materyèl konpoze.
Pake Silisyòm Carbide Whisker: 100g, 1kg pou chak sak nan sak doub anti-estatik
Shipping nan Silisyòm Carbide Whisker: Fedex, DHL, TNT, UPS, EMS, liy espesyal, elatriye.
Sèvis nou yoEnfòmasyon sou konpayi
Konpayi nou an HW Material Techonology se youn nan dirijan manifaktirè Lachin nan ak founisè nan nanomateryo.Nou te antre nan nano materyèl endistriyèl depi 2002, plis pase 16 ane eksperyans, nou te devlope teknoloji pwodiksyon avanse ak ekipman, sistèm kontwòl kalite strick, seri pwodwi konplè, ak akimile repitasyon mak HongWu nou an nan mache domestik ak entènasyonal.
Long tèm koperasyon genyen-genyen se fason nou kolabore ak patnè nou yo.
Teknoloji materyèl HW se premye manifakti domestik ak founisè nan poud moustach Beta SiC / moustach carbure Silisyòm Beta., Kalite β lamoustach carbure Silisyòm nou te pwodwi se yon gwo-fòs bab ki tankou (yon dimansyon) kristal sèl.Kòmn kristal atomik, ki gen yon dansite ki ba, gwo pwen k ap fonn, gwo fòs, gwo modil qkantite, ba ekspansyon tèmik, ak mete, rezistans korozyon, tanperati ki wo, rezistans oksidasyon yonnd lòt karakteristik ekselan.
