1% վոլֆրամ դոփված վանադիումի երկօքսիդի փոշի W-VO2 մասնիկ

Վոլֆրամի դոպինգով վանադիումի երկօքսիդի փոշու բնութագրում.

Մասնիկների չափը՝ 5-6 մմ

Մաքրությունը՝ 99%+

Գույնը՝ մոխրագույն սև

Վոլֆրամի դոպինգի հարաբերակցությունը` կարգավորելի 1-2%

Փուլային անցումային ջերմաստիճան՝ կարգավորելի մոտ 20-68℃

Հարակից նյութեր՝ մաքուր VO2 նանոփոշի

W դոփավորված վանադիումի երկօքսիդի (W-VO2) փոշիների կիրառում.

Նանովանադիումի երկօքսիդը (VO2) համարվում է հեղափոխական նյութ ապագա էլեկտրոնիկայի արդյունաբերության համար:Նրա հիմնական հատկություններից մեկն այն է, որ այն սենյակային ջերմաստիճանում մեկուսիչ է, սակայն նրա ատոմային կառուցվածքը սենյակային ջերմաստիճանի բյուրեղային կառուցվածքից կփոխվի մետաղի, երբ ջերմաստիճանը 68℃-ից բարձր է:Այս եզակի հատկությունը, որը հայտնի է որպես մետաղական մեկուսիչ անցում (MIT), այն դարձնում է իդեալական թեկնածու՝ փոխարինելու սիլիցիումը նոր սերնդի ցածր էներգիայի էլեկտրոնային սարքերի համար:

Ներկայումս օպտոէլեկտրոնային սարքերում VO2 նյութերի կիրառումը հիմնականում բարակ թաղանթային վիճակում է, և այն հաջողությամբ կիրառվել է տարբեր ոլորտներում, ինչպիսիք են էլեկտրաքրոմային սարքերը, օպտիկական անջատիչները, միկրոմարտկոցները, էներգախնայող ծածկույթները, խելացի պատուհանները և միկրոբոլոմետրիկ սարքերը:Վանադիումի երկօքսիդի հաղորդիչ հատկությունները տալիս են նրան պոտենցիալ կիրառությունների լայն շրջանակ օպտիկական սարքերում, էլեկտրոնային սարքերում և օպտոէլեկտրոնային սարքերում:

Ինչու վոլֆրամի դոպինգ:

Ֆազային փոփոխությունը նվազեցնելու համարփուլային անցումային ջերմաստիճան.

Պահպանման պայմանները.

W-VO2 փոշիները պետք է փակված պահվեն չոր, զով միջավայրում, լույսից հեռու:

(DSC 2%W-VO2)