1% ვოლფრამის დოპირებული ვანადიუმის დიოქსიდის ფხვნილი W-VO2 ნაწილაკი

ვოლფრამის დოპირებული ვანადიუმის დიოქსიდის ფხვნილის სპეციფიკაცია:

ნაწილაკების ზომა: 5-6მმ

სისუფთავე: 99%+

ფერი: ნაცრისფერი შავი

ვოლფრამის დოპინგის კოეფიციენტი: რეგულირებადი 1-2%

ფაზის გადასვლის ტემპერატურა: რეგულირებადი დაახლოებით 20-68℃

დაკავშირებული მასალები: სუფთა VO2 ნანოფხვნილი

W დოპირებული ვანადიუმის დიოქსიდის (W-VO2) ფხვნილების გამოყენება:

ნანო ვანადიუმის დიოქსიდი (VO2) აღიარებულია, როგორც რევოლუციური მასალა მომავალი ელექტრონიკის ინდუსტრიისთვის.მისი ერთ-ერთი მთავარი თვისება ის არის, რომ ის არის იზოლატორი ოთახის ტემპერატურაზე, მაგრამ მისი ატომური სტრუქტურა შეიცვლება ოთახის ტემპერატურის კრისტალური სტრუქტურიდან მეტალზე, როდესაც ტემპერატურა 68℃-ზე მაღალია.ეს უნიკალური თვისება, რომელიც ცნობილია როგორც ლითონ-იზოლატორის გარდამავალი (MIT), ხდის მას იდეალურ კანდიდატს სილიკონის შეცვლისთვის ახალი თაობის დაბალი სიმძლავრის ელექტრონული მოწყობილობებისთვის.

ამჟამად VO2 მასალების გამოყენება ოპტოელექტრონულ მოწყობილობებში ძირითადად თხელი ფირის მდგომარეობაშია და ის წარმატებით გამოიყენება სხვადასხვა სფეროში, როგორიცაა ელექტროქრომული მოწყობილობები, ოპტიკური გადამრთველები, მიკრობატარეები, ენერგიის დაზოგვის საფარები, ჭკვიანი ფანჯრები და მიკრობოლომეტრიული მოწყობილობები.ვანადიუმის დიოქსიდის გამტარი თვისებები აძლევს მას პოტენციურ გამოყენებას ოპტიკურ მოწყობილობებში, ელექტრონულ მოწყობილობებში და ოპტოელექტრონულ მოწყობილობებში.

რატომ ვოლფრამის დოპინგი?

ფაზის ცვლილების შესამცირებლადფაზა-გარდამავალი ტემპერატურა.

შენახვის პირობები:

W-VO2 ფხვნილები უნდა ინახებოდეს დალუქული მშრალ, გრილ გარემოში, სინათლისგან დაცულ ადგილას.

(DSC 2%W-VO2)