Si Nanowire Nano Silicon Drot SiNWs Längt iwwer 10um

Kuerz Beschreiwung:

Silicon Nanowires hunn eenzegaarteg optesch Eegeschafte wéi Fluoreszenz an Ultraviolet;elektresch Eegeschafte wéi Feld Emissioun an Elektronen Transport;gutt thermesch Konduktivitéit, héich Uewerflächaktivitéit, a Quanteschutzeffekter.Si Nanowires gi fir Sensoren, Detektoren, Transistor, Anodematerial a Li-Ion Batterien benotzt.


Produit Detailer

Si Nanowire Nano Silicon Drot SiNWs Längt iwwer 10um

Spezifizéierung:

Numm Si Nanowires
Ofkierzung SiNWs
CAS Nr. 7440-21-3
Duerchmiesser 100-200 nm
Längt >10 um
Rengheet 99%
Ausgesinn Pudder
Package 1g, 5g oder wéi néideg
Main Uwendungen Sensoren, Detektoren, Transistor, Anodematerial a Li-Ion Batterien.

Beschreiwung:

Silicon Nanowires hunn déi folgend Charakteristiken:
Si nanowires hunn eenzegaarteg opteschen Eegeschafte wéi fluorescence an ultraviolet;elektresch Eegeschafte wéi Feld Emissioun an Elektronen Transport;thermesch Konduktivitéit, héich Uewerflächenaktivitéit, a Quanteschutzeffekter.

1. Uwendungen vun Nano Silicon Drot Sensoren
Zeechnen op der aktueller Fuerschungsfundament vu Silizium-baséiert Materialien an déi existent Fuerschungsresultater vun der Nano-Sensor Virbereedung, Silizium Nano-Drähte ginn benotzt fir Nano-Sensoren mat héijer Sensibilitéit, Echtzäit Iwwerwaachung a Selbstheilung ze synthetiséieren.

2. Silicon Nanowire Transistoren
Mat Nano Si Dréit ofgepëtzt als Haaptstrukturell Eenheet, goufen eng Vielfalt vun Transistoren wéi Silizium Nanowire FETs, Single-Elektron Transistoren (SETs) a Feldeffekt Phototransistoren fabrizéiert.

3. Photodetektor
Studien hu gewisen datt Silizium Nanowire d'Charakteristiken vun enger héijer direkter Polariséierungsempfindlechkeet, enger héijer raimlecher Opléisung an der einfacher Kompatibilitéit mat aneren optoelektronesche Komponenten fabrizéiert duerch "bottom-up" Methoden, sou datt se an zukünfteg integréiert Nano-optoelektronesch Systemer benotzt kënne ginn.

4. Si Nano Drot Lithium-Ion Anode Material Batterie
Silizium ass d'Anodematerial mat der héchster theoretescher Lithiumspeicherkapazitéit déi bis elo fonnt gouf, a seng spezifesch Kapazitéit ass vill méi héich wéi déi vu Grafitmaterialien, awer seng tatsächlech Lithiuminterkalatioun ass enk verbonne mat der Gréisst vum Silizium op der Elektrode, der Elektrodenformuléierung , an der Charge-Entladung Taux.Déi nei Lithium-Ion Batterie aus SiNWs ka bis zu 10 Mol méi Kraaft späicheren wéi konventionell nofëllbar Batterien.De Schlëssel fir seng Technologie ass d'Späicherkapazitéit vun der Batterieanode ze verbesseren.

Stockage Zoustand:

Silicon Nanowires (SiNWs) solle gutt versiegelt sinn, op enger cooler, dréchener Plaz gelagert ginn, direkt Liicht vermeiden.Raumtemperatur Lagerung ass OK.


  • virdrun:
  • Nächste:

  • Schéckt eis Äre Message:

    Schreift äre Message hei a schéckt en un eis

    Schéckt eis Äre Message:

    Schreift äre Message hei a schéckt en un eis