Silicon carbide ມີຄວາມຫມັ້ນຄົງທາງເຄມີທີ່ດີເລີດແລະຄຸນສົມບັດການດູດຊຶມຄື້ນທີ່ດີ, ແລະມີແຫຼ່ງວັດສະດຸທີ່ຫລາກຫລາຍແລະຄ່າໃຊ້ຈ່າຍຕ່ໍາ, ແລະມີຄວາມສົດໃສດ້ານຄໍາຮ້ອງສະຫມັກທີ່ດີໃນພາກສະຫນາມຂອງການດູດຊຶມຄື້ນ.
SiC ເປັນວັດສະດຸ semiconductor ທີ່ມີຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງອຸນຫະພູມສູງທີ່ດີ, ການຕໍ່ຕ້ານ corrosion ສານເຄມີ, ການຕໍ່ຕ້ານການຜຸພັງທີ່ດີເລີດແລະຄ່າສໍາປະສິດການຂະຫຍາຍຕົວຄວາມຮ້ອນຕ່ໍາ.ມັນ​ເປັນ​ອຸນ​ຫະ​ພູມ​ທີ່​ໄດ້​ຮັບ​ການ​ສຶກ​ສາ​ຫຼາຍ​ທີ່​ສຸດ​ຢູ່​ພາຍ​ໃນ​ແລະ​ຕ່າງ​ປະ​ເທດ​.
ຜົງ Beta ilicon carbide (SiC) ເປັນຕົວດູດຄື້ນສ່ວນໃຫຍ່ປະກອບມີສອງຮູບແບບຂອງຜົງແລະເສັ້ນໄຍ.
ພື້ນທີ່ສະເພາະຂະຫນາດໃຫຍ່, ນໍາໄປສູ່ການເພີ່ມປະສິດທິພາບຂອງການໂຕ້ຕອບ polarization, ມີບົດບາດສໍາຄັນໃນການປັບປຸງຕົວກໍານົດການແມ່ເຫຼັກໄຟຟ້າແລະການຈັບຄູ່ impedance.

ພາກສະຫນາມຄໍາຮ້ອງສະຫມັກຂອງອະນຸພາກ nano SiC:

1. ພາກສະຫນາມອຸປະກອນການເຄືອບ: ພາກສະຫນາມອຸປະກອນການທະຫານ;ພາກສະຫນາມອຸປະກອນໄມໂຄເວຟ
2. ພາກສະຫນາມຂອງເຄື່ອງນຸ່ງປ້ອງກັນລັງສີ
3. ສາຂາວິສະວະກຳພລາສຕິກ

ເງື່ອນໄຂການເກັບຮັກສາ: