Silicio nanolaidai turi šias charakteristikas:
Si nanolaidai turi unikalių optinių savybių, tokių kaip fluorescencija ir ultravioletiniai spinduliai;elektrinės savybės, pvz., lauko emisija ir elektronų pernešimas;šilumos laidumas, didelis paviršiaus aktyvumas ir kvantinio uždarymo efektai.

1. Nano silicio vielos jutiklių taikymas
Remiantis dabartiniais silicio pagrindu pagamintų medžiagų tyrimų pagrindais ir turimais nanojutiklio paruošimo tyrimų rezultatais, silicio nano laidai naudojami didelio jautrumo, realiojo laiko stebėjimo ir savaiminio gijimo nano jutikliams sintetinti.

2. Silicio nanowire tranzistoriai
Naudojant nano Si laidus kaip pagrindinį struktūrinį vienetą, buvo pagaminti įvairūs tranzistoriai, tokie kaip silicio nanolaidiniai FET, vieno elektrono tranzistoriai (SET) ir lauko efekto fototranzistoriai.

3. Fotodetektorius
Tyrimai parodė, kad silicio nanolaidai pasižymi dideliu tiesioginės poliarizacijos jautrumu, didele erdvine skiriamąja geba ir lengvu suderinamumu su kitais optoelektroniniais komponentais, pagamintais „iš apačios į viršų“ metodais, todėl juos galima naudoti būsimose integruotose nano optoelektroninėse sistemose.

4. Si nano vielos ličio jonų anodo medžiagos baterija
Silicis yra anodo medžiaga, turinti didžiausią teorinį ličio kaupimo pajėgumą, o jo savitoji talpa yra daug didesnė nei grafito medžiagų, tačiau jo tikrasis ličio įsiterpimas yra glaudžiai susijęs su silicio dydžiu ant elektrodo, elektrodo sudėties. , ir įkrovimo-iškrovimo greitis.Naujoji ličio jonų baterija, pagaminta iš SiNW, gali sukaupti iki 10 kartų daugiau energijos nei įprastos įkraunamos baterijos.Jos technologijos raktas yra pagerinti akumuliatoriaus anodo talpą.