Термисторт ашигладаг нано ванадийн давхар ислийн нунтаг зарчим:

Нано ванадийн давхар исэл VO2-ийн фазын шилжилтийн өмнө болон дараа түүний эсэргүүцэл нь хэд хэдэн түвшний гэнэтийн өөрчлөлттэй байх болно.

Температур нь фазын шилжилтийн цэгээс бага байх үед нано VO2 нь өндөр эсэргүүцэл үзүүлж, хэлхээ тасардаг;

Температур нь фазын шилжилтийн цэгээс хэтэрсэн үед VO2 нано бага эсэргүүцэл үзүүлж, хэлхээг асаана.

Хэлхээний автомат хяналтыг хэрэгжүүлэхийн тулд температурын дагуу өөрчлөгдөх VO2 эсэргүүцлийн шинж чанарыг ашиглана.

Хэрэв та ванадийн давхар ислийн фазын шилжилтийн температурыг бууруулахыг хүсвэл вольфрамын хольцтой ванадийн давхар ислийг мөн тохируулж болно.Фазын шилжилтийн температурыг өрөөний температураас 68 ℃ хүртэл тохируулж болно.