Карбид кремния обладает превосходной химической стабильностью и хорошими свойствами поглощения волн, имеет широкий спектр источников материалов и низкую стоимость, а также имеет большие перспективы применения в области поглощения волн.
SiC представляет собой полупроводниковый материал с хорошей термостойкостью, химической коррозионной стойкостью, отличной стойкостью к окислению и низким коэффициентом теплового расширения.Это наиболее изученный высокотемпературный абсорбент в стране и за рубежом.
Порошок бета-карбида кремния (SiC) в качестве поглотителя волн в основном включает две формы порошка и волокна.
Большая удельная поверхность, приводящая к усилению поляризации интерфейса, играет важную роль в улучшении электромагнитных параметров и согласовании импедансов.

Области применения наночастиц SiC:

1. Поле материала покрытия: поле военного материала;поле микроволнового оборудования
2. Область радиационной защиты одежды
3. Область инженерных пластиков

Условия хранения: