Silicijev karbid ima odlično kemično stabilnost in dobre lastnosti absorpcije valov ter ima širok razpon materialnih virov in nizke stroške ter ima velike možnosti uporabe na področju absorpcije valov.
SiC je polprevodniški material z dobro visokotemperaturno stabilnostjo, odpornostjo proti kemični koroziji, odlično odpornostjo proti oksidaciji in nizkim koeficientom toplotnega raztezanja.Je najbolj raziskan visokotemperaturni absorbent doma in v tujini.
Prašek beta ilikon karbida (SiC) kot absorber valov vključuje predvsem dve obliki prahu in vlaken.
Velika specifična površina, ki vodi do izboljšane polarizacije vmesnika, igra pomembno vlogo pri izboljšanju elektromagnetnih parametrov in ujemanja impedance

Področja uporabe nano delcev SiC:

1. Področje materiala za prevleko: področje vojaškega materiala;področje mikrovalovne opreme
2. Področje oblačil za zaščito pred sevanjem
3. Področje inženirske plastike

Pogoji shranjevanja: