1. បំពង់ nanotubes Boron nitride មានឥរិយាបទជាអ៊ីសូឡង់អគ្គិសនី និងមានកម្លាំងល្អ ស្ថេរភាពអគ្គិសនី និងកម្ដៅ ដែលធ្វើឱ្យពួកវាមានលទ្ធភាពប្រើប្រាស់យ៉ាងទូលំទូលាយក្នុងវិស័យសម្ភារៈសមាសធាតុមេកានិក អុបតូអេឡិចត្រូនិច អេឡិចត្រូនិច និងឧបករណ៍ណាណូ។

2. បំពង់ nanotubes boron nitride មិនត្រឹមតែមានចរន្តកំដៅខ្ពស់ និងធន់នឹងអុកស៊ីតកម្មប៉ុណ្ណោះទេ ថែមទាំងមានស្ថេរភាពកម្ដៅខ្ពស់ និងលក្ខណៈសម្បត្តិគីមីមានស្ថេរភាព ដែលធ្វើអោយឧបករណ៍អេឡិចត្រូនិក boron nitride nanotubes នៅក្នុងបរិយាកាសដ៏អាក្រក់ដូចជា សីតុណ្ហភាពខ្ពស់ និងថាមពលខ្ពស់ ប្រទេសចិនមានការរំពឹងទុកកម្មវិធីល្អ។ .

3. ដោះស្រាយបញ្ហាការរលាយកំដៅនៃផលិតផលអេឡិចត្រូនិច។សម្ភារៈផ្សំដែលមានមូលដ្ឋានលើអេប៉ុកស៊ីអ៊ីដ្រាតដែលមានអ៊ីសូឡង់អគ្គិសនី និងរលាយកំដៅដែលមានផ្ទុកសារធាតុ boron nitride nanotubes (BNNT) ផ្តល់នូវដំណោះស្រាយសម្រាប់ផលិតផលអេឡិចត្រូនិកដែលរួមបញ្ចូលគ្នាយ៉ាងខ្ពស់ ខ្នាតតូច ពហុមុខងារ និងទម្ងន់ស្រាល។

4. បំពង់ nanotubes Boron nitride មាន biocompatibility ល្អ។Boron nitride nanotubes អាចត្រូវបានប្រើជា nanocarriers និង nanosensors ក្នុងវិស័យជីវវេជ្ជសាស្ត្រ។

5. ក្នុងនាមជាសម្ភារៈរចនាសម្ព័ន្ធដែលមានសីតុណ្ហភាពខ្ពស់ boron nitride nanotubes (BNNT) មានស្ថេរភាពកម្ដៅ និងគីមីប្រសើរជាងកាបូន nanotubes (CNT) ។Boron nitride nanotubes អាច​ត្រូវ​បាន​ប្រើ​ជា​សម្ភារៈ​រចនាសម្ព័ន្ធ​ទម្ងន់​ស្រាល​ដើម្បី​ការពារ​វិទ្យុសកម្ម។

6. ក្នុងនាមជាសម្ភារៈគម្លាតធំទូលាយ បំពង់ nanotubes semiconductor boron nitride មានលក្ខណៈសម្បត្តិរូបវន្តដ៏ល្អ និងភាពអសកម្មគីមីល្អ។ពួកវាជាសម្ភារអេឡិចត្រូនិចដ៏ល្អមួយសម្រាប់ផលិតឧបករណ៍ និងសៀគ្វីដែលមានភាពជឿជាក់ខ្ពស់។បំពង់ nanotubes Boron nitride ជាទូទៅបង្ហាញលក្ខណៈសម្បត្តិអគ្គិសនីដែលមានស្ថេរភាព និងជាប់លាប់។ការយល់ដឹងអំពីសារធាតុ doping នៃ boron nitride nanotubes និងការជំរុញលក្ខណៈសម្បត្តិ semiconductor របស់ពួកគេក៏ជាគន្លឹះក្នុងការសម្រេចបាននូវការអនុវត្តទ្រង់ទ្រាយធំនៃសម្ភារៈនេះ។

7. បំពង់ nanotubes Boron nitride ដែលប្រើក្នុងសម្ភារវិស្វកម្មគឺស្រដៀងទៅនឹងបេតុងដែលបានពង្រឹងដែក ដែលធ្វើអោយផ្នែកមានកម្លាំងខ្ពស់ជាងនៅលើមូលដ្ឋានស្រាលជាងមុន។