Gefunctionaliseerd grafeen omvat enkellaags met stikstof gedoteerd grafeen en meerlaags met stikstof gedoteerd grafeen.
De verhouding tussen stikstofatomen en koolstofatomen is ongeveer 2-5%.
Stikstofdotering van grafeen kan de bandafstand openen en het type geleidbaarheid aanpassen, de elektronische structuur veranderen en de dichtheid van vrije dragers verbeteren, waardoor de geleidbaarheid en stabiliteit van grafeen worden verbeterd.
Bovendien kan de introductie van een stikstofbevattende atomaire structuur in het grafeen-koolstofraster de actieve adsorptieplaatsen op het grafeenoppervlak vergroten, waardoor de interactie tussen metaaldeeltjes en grafeen wordt verbeterd.
Daarom heeft met stikstof gedoteerd grafeen betere elektrochemische prestaties wanneer het wordt toegepast op energieopslagapparaten en zal het naar verwachting worden ontwikkeld tot hoogwaardige elektrodematerialen.
Bestaande studies hebben ook aangetoond dat met stikstof gedoteerd grafeen de capaciteitskenmerken, snelle laad-ontlaadcapaciteit en levensduur van energieopslagmaterialen aanzienlijk kan verbeteren, wat een groot toepassingspotentieel heeft op het gebied van energieopslag.