ئىندىي ئوكسىد يېڭى n تىپىدىكى سۈزۈك يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ئىقتىدار ماتېرىيالى بولۇپ ، كەڭ بەلۋاغ پەرقى ، قارشىلىق كۈچى كىچىك ، كاتالىزاتورلۇق پائالىيىتى يۇقىرى.ئىندى ئوكسىد زەررىچىسى چوڭلۇقى نانومېتىر سەۋىيىسىگە يەتكەندە ، يۇقىرىدىكى ئىقتىدارلاردىن باشقا ، ئۇ يەنە يەر يۈزى تەسىرى ، كىۋانت چوڭلۇقى تەسىرى ، كىچىك كۆلەمدىكى ئۈنۈم ۋە نانوماتېرىيەنىڭ ماكروسكوپلىق كىۋانت تونىل تەسىرىدىن باشقا ، نانو-ئىندى ئوكسىد كەڭ كۆلەمدە ئىشلىتىلىدۇ. ئوپتىكىلىق ئېلېكتر ئۈسكۈنىلىرى ، قۇياش ئېنېرگىيىسى ھۈجەيرىسى ، سۇيۇق كرىستال ئېكران ۋە گاز سېنزورى.

بىر قەغەز تەجرىبە شۇنى ئىسپاتلىدىكى ، In2O3 نانو ئېلېمېنتى ئىشلەپچىقارغان گاز سېنزورىنىڭ ئىسپىرت ، HCHO ، NH3 قاتارلىق نۇرغۇن گازلارغا بولغان سەزگۈرلۈكى يۇقىرى بولۇپ ، ئىنكاس ۋاقتى 20 s دىن تۆۋەن ، ئەسلىگە كېلىش ۋاقتى 30 s دىن تۆۋەن.