Аднаслаёвы нанапарашок аксіду графена GO
Спецыфікацыя прадукту
| Назва прадмета | аксід графена |
| MF | C |
| Чысціня (%) | 99% |
| Знешні выгляд | загар цвёрды парашок |
| Памер часціц | таўшчыня: 0,6-1,2 нм, даўжыня: 0,8-2 мкм, 99% |
| Марка | HW |
| Ўпакоўка | падвойныя антыстатычныя пакеты |
| Гатунак Стандарт | прамысловы |
Прадукцыйнасць прадукту
Ужываннеаксіду граена:
Сонечная батарэя. З выкарыстаннем аксіду графена замест PEDOT:PSS у якасці транспартнага пласта дзіркі палімернай сонечнай батарэі была атрымана аналагічная эфектыўнасць фотаэлектрычнага пераўтварэння (PCE).Даследаваўся ўплыў рознай таўшчыні пласта GO на палімерны сонечны элемент PCE.Высветлілася, што таўшчыня пласта плёнкі GO склала 2 нм.Прылада мае самую высокую эфектыўнасць фотаэлектрычнага пераўтварэння. Гнуткі датчык, паколькі аксід графена змяшчае шмат гідрафільных функцыянальных груп, яго лёгка мадыфікаваць.Акрамя таго, ён мае вялікую ўдзельную паверхню, добрую диспергируемость і добрую адчувальнасць да вільготнасці, што робіць яго ідэальным сэнсарным матэрыялам, асабліва ў галіне гнуткіх датчыкаў.
Захоўваннеаксіду графена:
Аксід графенатрэба запячатаць і захоўваць у сухім прахалодным месцы, удалечыні ад прамых сонечных прамянёў.
