Ürün Özellikleri

Ürün performansı

Başvurugrahen oksit:

Güneş piliPolimer güneş pilinin delik taşıma katmanı olarak PEDOT:PSS yerine Grafen oksit kullanılarak benzer fotoelektrik dönüşüm verimliliği (PCE) elde edildi.Farklı GO katman kalınlığının polimer güneş pili PCE üzerindeki etkisi incelenmiştir.GO film tabakasının kalınlığının 2 nm olduğu bulundu.Cihaz, en yüksek fotoelektrik dönüşüm verimliliğine sahiptir. Esnek sensör Grafen oksit birçok hidrofilik fonksiyonel grup içerdiğinden, değiştirilmesi kolaydır.Ayrıca, geniş özgül yüzey alanına, iyi dağılabilirliğe ve iyi nem duyarlılığına sahiptir, bu da onu özellikle esnek sensörler alanında ideal bir sensör malzemesi yapar.

Depolamakgrafen oksit:

grafen oksitağzı kapatılmalı ve kuru, serin bir ortamda, doğrudan güneş ışığından uzakta saklanmalıdır.