Graphene Oxide Single Layer GO Nano Powder
Thông số sản phẩm
| Tên mục | oxit graphene |
| MF | C |
| Độ tinh khiết (%) | 99% |
| ngoại hình | bột rắn tan |
| Kích thước hạt | độ dày: 0,6-1,2nm, Chiều dài: 0,8-2um, 99% |
| Thương hiệu | HW |
| bao bì | túi chống tĩnh điện đôi |
| tiêu chuẩn lớp | công nghiệp |
Hiệu suất sản phẩm
Ứng dụngcủa grazen oxit:
Pin năng lượng mặt trời Sử dụng Graphene oxit thay vì PEDOT:PSS làm lớp vận chuyển lỗ trống của pin mặt trời polyme, đã thu được hiệu suất chuyển đổi quang điện (PCE) tương tự.Ảnh hưởng của độ dày lớp GO khác nhau đối với PCE pin mặt trời polymer đã được nghiên cứu.Người ta thấy rằng độ dày của lớp phim GO là 2nm.Thiết bị có hiệu suất chuyển đổi quang điện cao nhất. Cảm biến linh hoạt Vì graphene oxit chứa nhiều nhóm chức ưa nước nên rất dễ sửa đổi.Ngoài ra, nó có diện tích bề mặt riêng lớn, độ phân tán tốt và độ nhạy độ ẩm tốt, làm cho nó trở thành vật liệu cảm biến lý tưởng, đặc biệt là trong lĩnh vực cảm biến linh hoạt.
Khooxit graphen:
oxit graphennên được đậy kín và bảo quản ở nơi khô ráo, thoáng mát, tránh ánh nắng trực tiếp.
