0.1-2um, L/D>=20, Fad: 10-50um Silicon Carbide Whisker
Uisge-beatha Silicon Carbide
Sònrachadh:
| Còd | D500 |
| Ainm | Uisge-beatha Silicon Carbide |
| Foirmle | β-SiC-w |
| CAS Àir. | 409-21-2 |
| Tomhas | 0.1-2.5um ann an trast-thomhas, 10-50um de dh'fhaid |
| Purity | 99% |
| Seòrsa criostal | Beta |
| Coltas | Uaine |
| Pacaid | 100g, 500g, 1kg no mar a dh'fheumar |
| Iarrtasan a dh’fhaodadh a bhith ann | Mar àidseant neartachaidh is teannachaidh sàr-mhath, tha stuthan co-dhèanta stèidhichte air meatailt, ceirmeag agus polymer stèidhichte air uisge-beatha SiC air an cleachdadh gu farsaing ann an innealan, ceimigeach, dìon, lùth, dìon na h-àrainneachd agus raointean eile. |
Tuairisgeul:
Tha SiC whisker na shnàithleach criostail singilte làn-chuimseach le trast-thomhas a ’dol bho nanometer gu micrometer.
Tha an structar criostal aige coltach ri structar daoimean.Tha glè bheag de neo-chunbhalachd ceimigeach anns a 'chriostail, gun chrìochan gràin, agus glè bheag de lochdan structar criostail.Tha an ìre co-dhèanamh co-ionnan.
Tha ìre leaghaidh àrd aig uisge-beatha SiC, dùmhlachd ìosal, neart àrd, modulus àrd de elasticity, ìre leudachaidh teirmeach ìosal, agus deagh chaitheamh caitheamh, strì an aghaidh creimeadh, agus strì an aghaidh oxidation aig teòthachd àrd.
Bithear a’ cleachdadh uisge-beatha SiC sa mhòr-chuid ann an tagraidhean teannachaidh far a bheil feum air tagraidhean teòthachd àrd agus neart àrd.
Suidheachadh stòraidh:
Bu chòir Silicon Carbide Whisker (β-SiC-w) a bhith air a stòradh ann an seulachadh, seachain àite aotrom, tioram.Tha stòradh teòthachd an t-seòmair ceart gu leòr.
SEM:
