0.1-2um ، L / D> = 20 ، ئۇزۇنلۇقى: 10-50um كرېمنىي كاربون ۋىۋىسكىسى
كرېمنىي كاربون ۋىۋىسكىسى
ئۆلچىمى:
| كود | D500 |
| ئىسمى | كرېمنىي كاربون ۋىۋىسكىسى |
| فورمۇلا | Si-SiC-w |
| CAS No. | 409-21-2 |
| رازمېرى | دىئامېتىرى 0.1-2.5um ، ئۇزۇنلۇقى 10-50um |
| ساپلىق | 99% |
| خرۇستال تىپ | Beta |
| كۆرۈنۈش | يېشىل |
| بوغچا | 100g ، 500g ، 1kg ياكى تەلەپ بويىچە |
| يوشۇرۇن قوللىنىشچان پروگراممىلار | SiC ۋىۋىسكىسى ئېسىل كۈچەيتىش ۋە چىڭىتىش ۋاكالەتچىسى بولۇش سۈپىتى بىلەن ، مېتالنى ئاساس قىلغان ، ساپالدىن ياسالغان ۋە پولىمېرنى ئاساس قىلغان بىرىكمە ماتېرىياللار ماشىنا ، خىمىيىلىك ، مۇداپىئە ، ئېنېرگىيە ، مۇھىت ئاسراش ۋە باشقا ساھەلەردە كەڭ قوللىنىلدى. |
چۈشەندۈرۈش:
SiC ۋىۋىسكىسى يۇقىرى يۆنىلىشلىك يەككە خرۇستال تالا بولۇپ ، دىئامېتىرى نانومېتىردىن مىكروومېتىرغىچە.
ئۇنىڭ خىرۇستال قۇرۇلمىسى ئالماسقا ئوخشايدۇ.خرۇستالدا خىمىيىلىك ماددىلار ئاز ، ئاشلىق چېگرىسى يوق ، خرۇستال قۇرۇلما كەمتۈك.فازا تەركىبى بىردەك.
SiC ۋىۋىسكىسىنىڭ يۇقىرى ئېرىتىش نۇقتىسى ، تۆۋەن زىچلىقى ، كۈچلۈكلىكى ، ئېلاستىكىلىقى يۇقىرى مودۇل ، ئىسسىقلىقنىڭ كېڭىيىش سۈرئىتى تۆۋەن ، شۇنداقلا ئۇپراشقا چىدامچانلىقى ، چىرىشكە چىدامچانلىقى ۋە يۇقىرى تېمپېراتۇرىنىڭ ئوكسىدلىنىشقا قارشى تۇرۇش ئىقتىدارى بار.
SiC ۋىۋىسكىسى ئاساسلىقى يۇقىرى تېمپېراتۇرا ۋە يۇقىرى كۈچلۈك قوللىنىشچان پروگراممىلارنى تەلەپ قىلىدىغان قاتتىق دېتاللاردا ئىشلىتىلىدۇ.
ساقلاش ھالىتى:
كرېمنىي كاربون ۋىۋىسكىسى (β-SiC-w) پېچەتلەنگەن ھالەتتە ساقلىنىشى ، يېنىك ، قۇرغاق جايدىن ساقلىنىشى كېرەك.ئۆينىڭ تېمپېراتۇرىسىنى ساقلاش ياخشى.
SEM:
