SiC ವಿಸ್ಕರ್ ನ್ಯಾನೊಮೀಟರ್‌ನಿಂದ ಮೈಕ್ರೋಮೀಟರ್‌ವರೆಗಿನ ವ್ಯಾಸವನ್ನು ಹೊಂದಿರುವ ಹೆಚ್ಚು ಆಧಾರಿತ ಏಕ ಸ್ಫಟಿಕ ಫೈಬರ್ ಆಗಿದೆ.
ಇದರ ಸ್ಫಟಿಕದ ರಚನೆಯು ವಜ್ರದಂತೆಯೇ ಇರುತ್ತದೆ.ಸ್ಫಟಿಕದಲ್ಲಿ ಕೆಲವು ರಾಸಾಯನಿಕ ಕಲ್ಮಶಗಳಿವೆ, ಯಾವುದೇ ಧಾನ್ಯದ ಗಡಿಗಳಿಲ್ಲ ಮತ್ತು ಕೆಲವು ಸ್ಫಟಿಕ ರಚನೆ ದೋಷಗಳಿವೆ.ಹಂತದ ಸಂಯೋಜನೆಯು ಏಕರೂಪವಾಗಿದೆ.

SiC ವಿಸ್ಕರ್ ಹೆಚ್ಚಿನ ಕರಗುವ ಬಿಂದು, ಕಡಿಮೆ ಸಾಂದ್ರತೆ, ಹೆಚ್ಚಿನ ಶಕ್ತಿ, ಸ್ಥಿತಿಸ್ಥಾಪಕತ್ವದ ಹೆಚ್ಚಿನ ಮಾಡ್ಯುಲಸ್, ಕಡಿಮೆ ಉಷ್ಣ ವಿಸ್ತರಣೆ ದರ ಮತ್ತು ಉತ್ತಮ ಉಡುಗೆ ಪ್ರತಿರೋಧ, ತುಕ್ಕು ನಿರೋಧಕತೆ ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನದ ಆಕ್ಸಿಡೀಕರಣ ಪ್ರತಿರೋಧವನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ.

SiC ವಿಸ್ಕರ್ ಅನ್ನು ಮುಖ್ಯವಾಗಿ ಕಠಿಣಗೊಳಿಸುವ ಅನ್ವಯಿಕೆಗಳಲ್ಲಿ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ, ಅಲ್ಲಿ ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನ ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ ಸಾಮರ್ಥ್ಯದ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್‌ಗಳು ಬೇಕಾಗುತ್ತವೆ.