Cyflenwad Ffatri Tsieina HW-D500C SiCNWs silicon carbide nanowires gweithgynhyrchwyr a chyflenwyr |Hongwu

Mae ffatri'n cyflenwi nanowires carbid silicon HW-D500C SiCNWs

Disgrifiad Byr:

Mewn cyfansoddion matrics ceramig cyffredin, mae nanowires carbid silicon HW-D500C SiCNWs llai na 10wt% yn cael eu hychwanegu'n gyffredinol. Yn y broses o optimeiddio penodol, argymhellir dechrau o 1wt% ac arbrofi a gwneud y gorau yn raddol.

Anfonwch e-bost atom

Manylion Cynnyrch

Mae ffatri'n cyflenwi nanowires carbid silicon HW-D500C SiCNWs

Manyleb:

Côd	D500C
Enw	Nanowires silicon carbide
Fformiwla	SICNWs
Rhif CAS.	409-21-2
Diamedr a Hyd	D <500nm L 50-100um
Purdeb	99%
Math Grisial	ciwbig
Ymddangosiad	gwyrdd llwyd
Pecyn	10g, 50g, 100g, 200g neu yn ôl yr angen
Ceisiadau posibl	Mae deunyddiau cyfansawdd wedi'u hatgyfnerthu a'u cryfhau, matrics metel a chyfansoddion matrics ceramig wedi'u hatgyfnerthu a'u cryfhau gan nanowires carbid silicon wedi'u defnyddio'n helaeth mewn peiriannau, diwydiant cemegol, amddiffyn cenedlaethol, ynni, diogelu'r amgylchedd a meysydd eraill.

Disgrifiad:

Priodweddau ffisegol nanowire carbid silicon:

Crisial ciwbig, sy'n fath o grisial tebyg i ddiamwnt.Mae'n grisial sengl un dimensiwn gyda chryfder uchel a siâp barf.Mae ganddo lawer o briodweddau mecanyddol rhagorol megis cryfder uchel a modwlws uchel, sef un o'r deunyddiau cryfhau a chaledu gorau.

Priodweddau cemegol nanowires carbid silicon:

Gwrthwynebiad gwisgo, ymwrthedd tymheredd uchel, ymwrthedd sioc arbennig, ymwrthedd cyrydiad, ymwrthedd ymbelydredd.

Cyfarwyddiadau prif gais nanowires carbid silicon:

1.Sic nanowires/cyfansoddion matrics ceramig: SIC/TIC/WC/ALN/SI3N4/TIN/AL2O3/ZRO2/ZRB2 ac ati

2. Nanowires SIC / cyfansoddion matrics metel: AL / TI / NI ac ati

Nanowires 3.SIC / cyfansoddion seiliedig ar bolymer: neilon / resin / rwber / plastig ac ati

Gwasgariad ac Ychwanegyn Swm o SiC Nanowires:

Gwasgariad ac Ychwanegyn Swm o SiC Nanowires (er gwybodaeth yn unig)
Cyfryngau gwasgariad a argymhellir: dŵr wedi'i ddad-ïoneiddio, dŵr distyll, ethanol anhydrus, glycol ethylene
Gwasgarwr a argymhellir: Polyethylen imine (PEI), polyacryl lamid nonionic (PAM), sodiwm pyrophosphate (SPP), twain 80, asiant cyplu cyfansawdd silicon, polyethylen glycol, sodiwm hecsametaffosffad, sodiwm carboxymethyl cellwlos (CMC), ac ati.
Mewn cyfansoddion matrics ceramig cyffredin, nanowires carbide silicon llai na 10wt% yn gyffredinol added.In y broses o optimeiddio penodol, argymhellir i ddechrau o 1wt% ac yn raddol arbrofi a gwneud y gorau.Yn ôl yr arfer arbrofol, po uchaf yw'r swm ychwanegu nid yw o reidrwydd yn well, mae'n gysylltiedig â'r deunydd crai, maint y deunydd, y tymheredd sintro, y gall swm ychwanegu rhesymol gael yr effaith galedu orau.

Ar ôl cymysgu'r slyri nanowire SiC gwasgaredig a phowdr ceramig, parhewch i wasgaru am 1-12 awr.Argymhellir gwasgariad melin gleiniau neu ddull troi mecanyddol.Mae'r dull melino pêl yn hawdd i achosi'r nanowires i dorri.

Os nad yw'r cymysgedd o nanowires SiC a deunyddiau matrics mor dda, gellir ychwanegu sodiwm hexametaffosffad o fàs 1% o SiCNW (neu ychydig bach o isopropanol / ethanol) fel gwasgarydd i wella'r unffurfiaeth gymysgu.

Ar ôl gwasgaru, dylid sychu a dadhydradu ar unwaith.Arllwyswch y slyri i mewn i lestr gydag ardal fawr i'w wasgaru'n denau, a bydd cynyddu'r arwynebedd yn anweddu a dadhydradu'n hawdd. Mae'n bwysicach osgoi dadlaminiad y deunydd crai rhwng y nanowires a'r matrics.Y tymheredd sychu a argymhellir yw 110-160 ℃.

SEM :