SiC Nanowires ਦੀ ਫੈਲਾਅ ਅਤੇ ਜੋੜਨ ਵਾਲੀ ਮਾਤਰਾ (ਸਿਰਫ਼ ਸੰਦਰਭ ਲਈ)
ਸਿਫ਼ਾਰਸ਼ ਕੀਤਾ ਫੈਲਾਅ ਮੀਡੀਆ: ਡੀਓਨਾਈਜ਼ਡ ਪਾਣੀ, ਡਿਸਟਿਲਡ ਵਾਟਰ, ਐਨਹਾਈਡ੍ਰਸ ਈਥਾਨੌਲ, ਈਥੀਲੀਨ ਗਲਾਈਕੋਲ
ਸਿਫਾਰਸ਼ੀ ਡਿਸਪਰਸੈਂਟ: ਪੋਲੀਥੀਲੀਨ ਇਮਾਈਨ (ਪੀਈਆਈ), ਨਾਨਿਓਨਿਕ ਪੋਲੀਐਕਰੀ ਲੈਮਾਈਡ (ਪੀਏਐਮ), ਸੋਡੀਅਮ ਪਾਈਰੋਫੋਸਫੇਟ (ਐਸਪੀਪੀ), ਟਵੇਨ 80, ਸਿਲੀਕਾਨ ਕੰਪਾਊਂਡ ਕਪਲਿੰਗ ਏਜੰਟ, ਪੋਲੀਥੀਲੀਨ ਗਲਾਈਕੋਲ, ਸੋਡੀਅਮ ਹੈਕਸਾਮੇਟਾਫੋਸਫੇਟ, ਸੋਡੀਅਮ ਕਾਰਬੋਕਸੀਮਾਈਥਾਈਲ (ਐਮਸੀਸੀ), ਸੈਲੂਲੋਜ਼ ਆਦਿ।
ਸਾਧਾਰਨ ਵਸਰਾਵਿਕ ਮੈਟ੍ਰਿਕਸ ਕੰਪੋਜ਼ਿਟਸ ਵਿੱਚ, 10wt% ਤੋਂ ਘੱਟ ਸਿਲਿਕਨ ਕਾਰਬਾਈਡ ਨੈਨੋਵਾਇਰਸ ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ ਸ਼ਾਮਲ ਕੀਤੇ ਜਾਂਦੇ ਹਨ। ਖਾਸ ਅਨੁਕੂਲਨ ਦੀ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਵਿੱਚ, ਇਸ ਨੂੰ 1wt% ਤੋਂ ਸ਼ੁਰੂ ਕਰਨ ਅਤੇ ਹੌਲੀ-ਹੌਲੀ ਪ੍ਰਯੋਗ ਅਤੇ ਅਨੁਕੂਲਿਤ ਕਰਨ ਦੀ ਸਿਫਾਰਸ਼ ਕੀਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ।ਪ੍ਰਯੋਗਾਤਮਕ ਅਭਿਆਸ ਦੇ ਅਨੁਸਾਰ, ਇਹ ਜ਼ਰੂਰੀ ਨਹੀਂ ਕਿ ਜਿੰਨੀ ਉੱਚੀ ਜੋੜਨ ਦੀ ਮਾਤਰਾ ਬਿਹਤਰ ਹੋਵੇ, ਇਹ ਕੱਚੇ ਮਾਲ, ਸਮੱਗਰੀ ਦੇ ਆਕਾਰ, ਸਿੰਟਰਿੰਗ ਤਾਪਮਾਨ ਨਾਲ ਸਬੰਧਤ ਹੈ, ਵਾਜਬ ਜੋੜਨ ਦੀ ਮਾਤਰਾ ਵਧੀਆ ਸਖ਼ਤ ਪ੍ਰਭਾਵ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰ ਸਕਦੀ ਹੈ।

ਖਿੰਡੇ ਹੋਏ SiC ਨੈਨੋਵਾਇਰ ਸਲਰੀ ਅਤੇ ਸਿਰੇਮਿਕ ਪਾਊਡਰ ਨੂੰ ਮਿਲਾਉਣ ਤੋਂ ਬਾਅਦ, 1-12 ਘੰਟਿਆਂ ਲਈ ਖਿਲਾਰਦੇ ਰਹੋ।ਬੀਡ ਮਿੱਲ ਡਿਸਪਰਸ਼ਨ ਜਾਂ ਮਕੈਨੀਕਲ ਸਟਰਾਈਰਿੰਗ ਵਿਧੀ ਦੀ ਸਿਫਾਰਸ਼ ਕੀਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ।ਬਾਲ ਮਿਲਿੰਗ ਵਿਧੀ ਨੈਨੋਵਾਇਰਸ ਨੂੰ ਤੋੜਨ ਲਈ ਆਸਾਨ ਹੈ।

ਜੇਕਰ SiC ਨੈਨੋਵਾਇਰਸ ਅਤੇ ਮੈਟਰਿਕਸ ਸਮੱਗਰੀਆਂ ਦਾ ਮਿਸ਼ਰਣ ਇੰਨਾ ਵਧੀਆ ਨਹੀਂ ਹੈ, ਤਾਂ ਮਿਸ਼ਰਣ ਦੀ ਇਕਸਾਰਤਾ ਨੂੰ ਬਿਹਤਰ ਬਣਾਉਣ ਲਈ SiCNW (ਜਾਂ ਆਈਸੋਪ੍ਰੋਪਾਨੋਲ/ਈਥਾਨੌਲ ਦੀ ਇੱਕ ਛੋਟੀ ਜਿਹੀ ਮਾਤਰਾ) ਦੇ 1% ਪੁੰਜ ਦੇ ਸੋਡੀਅਮ ਹੈਕਸਾਮੇਟਾਫੋਸਫੇਟ ਨੂੰ ਇੱਕ ਡਿਸਪਰਸੈਂਟ ਵਜੋਂ ਜੋੜਿਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ।

ਖਿੰਡਾਉਣ ਤੋਂ ਬਾਅਦ, ਸੁੱਕੀ ਅਤੇ ਡੀਹਾਈਡਰੇਸ਼ਨ ਤੁਰੰਤ ਕੀਤੀ ਜਾਣੀ ਚਾਹੀਦੀ ਹੈ.ਸਲਰੀ ਨੂੰ ਇੱਕ ਵੱਡੇ ਖੇਤਰ ਦੇ ਨਾਲ ਇੱਕ ਬਰਤਨ ਵਿੱਚ ਡੋਲ੍ਹ ਦਿਓ ਤਾਂ ਜੋ ਇਸਨੂੰ ਪਤਲਾ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕੇ, ਅਤੇ ਇਸ ਖੇਤਰ ਨੂੰ ਵਧਾਓ ਅਤੇ ਆਸਾਨੀ ਨਾਲ ਡੀਹਾਈਡ੍ਰੇਟ ਹੋ ਜਾਵੇਗਾ। ਨੈਨੋਵਾਇਰਸ ਅਤੇ ਮੈਟ੍ਰਿਕਸ ਦੇ ਵਿਚਕਾਰ ਕੱਚੇ ਮਾਲ ਦੇ ਡਿਲੇਮੀਨੇਸ਼ਨ ਤੋਂ ਬਚਣਾ ਵਧੇਰੇ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਹੈ।ਸਿਫਾਰਿਸ਼ ਕੀਤੀ ਸੁਕਾਉਣ ਦਾ ਤਾਪਮਾਨ 110-160 ℃ ਹੈ।