Méid Scaipthe agus Breise SiC Nanowires (le haghaidh tagartha amháin)
Meáin scaipthe molta: uisce dí-ianaithe, uisce driogtha, eatánól ainhidriúil, glycol eitiléine
Scaipeadh molta: Polaieitiléin imine (PEI), alaimíd polyacryl nonionic (PAM), pirophosphate sóidiam (SPP), twain 80, gníomhaire cúplála cumaisc sileacain, glycol poileitiléin, heicsametaphosphate sóidiam, carboxymethyl ceallalóis sóidiam (CMC), etc.
I gcomhchodanna maitrís ceirmeacha gnáth, nanowires chomhdhúile sileacain níos lú ná 10wt% go ginearálta added.In an bpróiseas leas iomlán a bhaint ar leith, tá sé molta chun tús a chur ó 1wt% agus de réir a chéile turgnamh agus optamaithe.De réir an chleachtais turgnamhacha, dá airde nach bhfuil an méid breise gá, is amhlaidh is fearr, tá sé bainteach leis an amhábhar, méid ábhar, teocht shintéiriú, méid réasúnta a chur leis is féidir a fháil ar an éifeacht toughening is fearr.

Tar éis an sciodar nanowire SiC scaipthe agus púdar ceirmeach a mheascadh, leanúint ar aghaidh ag scaipeadh ar feadh 1-12 uair an chloig.moltar scaipeadh muileann coirníní nó modh corraithe meicniúil.Is furasta an modh muilleoireachta liathróid a chur faoi deara na nanowires a bhriseadh.

Mura bhfuil meascadh nana-bhairr SiC agus na n-ábhar maitrís chomh maith, is féidir heicsametaphosphate sóidiam de mhais 1% SiCNW (nó méid beag isopropanol/eatánól) a chur leis mar scaiptheoir chun an aonfhoirmeacht meascáin a fheabhsú.

Tar éis scaipthe, ba chóir tirim agus díhiodráitiú a dhéanamh láithreach.Doirt an sciodar isteach i soitheach le limistéar mór chun é a leathadh go tanaí, agus méadú ar an limistéar galú agus díhiodráitithe go héasca.Tá sé níos tábhachtaí a sheachaint dílamadh an amhábhar idir na nanowires agus an maitrís.Is é an teocht a thriomú molta 110-160 ℃.