0,3-0,5um 99,9% Siliciumnitridpulver Mikro 300nm-500nm
0,3-0,5um Silicon Nitride Pudder
Spezifizéierung:
| Code | L560 |
| Numm | Silicon Nitride Pudder |
| Formel | Si3N4 |
| CAS Nr. | 12033-89-5 |
| Partikelgréisst | 0,3-0,5 um |
| Rengheet | 99,9% oder 99,99% |
| Crystal Typ | Alpha |
| Ausgesinn | Off wäiss Pudder |
| Package | 1 kg oder wéi néideg |
| Potential Uwendungen | Benotzt als Ofdréck Fräisetzung Agent fir polycrystalline Silicon an Single Kristallsglas produzéiert Silicon Quarz Crucible;als fortgeschratt refractaire Material benotzt;benotzt an dënnem Film Solarzellen;etc. |
Beschreiwung:
Si3N4 ass eng nei Zort vun héich Temperatur Struktur Keramik Material mat excellent chemesch Eegeschaften, gutt thermesch Schock Resistenz, niddereg Temperatur Kreep, Net-wetting zu enger Villfalt vun Net-ferro Metal Schmelze, héich hardness, Self-Schmieren, gouf wäit benotzt an Schneidinstrumenter, Metallurgie, Loftfaart, chemesch an aner Industrien.
Siliciumnitrid kann och op dënnfilm Solarzellen applizéiert ginn.Nodeems de Siliciumnitridfilm mat der PECVD-Methode gepflanzt ass, kann net nëmmen d'Reflexioun vum Incident Liicht reduzéiert ginn, awer och, am Oflagerungsprozess vum Siliciumnitridfilm, ginn d'Waasserstoffatome vum Reaktiounsprodukt an de Siliziumnitridfilm an de Silicon wafer ze passivéieren D'Roll vun de Mängel.
Stockage Zoustand:
Silicon Nitride Pudder soll an versiegelt gespäichert ginn, vermeiden liicht, dréchen Plaz.Raumtemperatur Lagerung ass ok.
SEM:
